TY  - JOUR
TI  - GAN GÜÇ ANAHTARLARI İLE GERÇEKLENEN YARIM KÖPRÜ  GELİŞTİRME KARTININ ISIL BAŞARIMININ İNCELENMESİ
AB  - GaN FET anahtarlar ufak paket boyutlarına sahip olması ve yüksek çalışma gerilim-akım değerlerini yüksek anahtarlama frekanslarında sağlayabilmesinden dolayı güç elektroniği çeviricilerinde yeni ufuklar açmıştır. Bu çalışma EPC firması tarafından üretilmiş olan küçük paket boyutlarındaki EPC2215 (VDS=200V, ID=32A, RDS(on)=8m)  GaN FET anahtarların sonlu elemanlar yöntemi tabanlı ısıl modelinin elde edilmesini ile ilgilidir. JEDEC standartlarınca belirlenen deney talimatları kurulan benzetim modeline uygulanmıştır. Anahtarın jonksiyondan kılıfa, jonksiyondan dış ortama ve jonksiyondan devre kartına olan ısıl dirençleri benzetim modeli ile hesaplanmış ve firmanın veri föylerinde paylaştığı ısıl direnç değerleri ile karşılaştırılmıştır. Daha sonra yine aynı firmaya ait olan, EPC2215 anahtarları ile yapılan, EPC9099 yarım-köprü geliştirme kartının ısıl modellemesi yapılmıştır. Firma tarafından veri föyünde paylaşılan kayıp güç değerleri benzetim modeline uygulanmıştır. Benzetim sonucunda geliştirme kartının ısıl yönden zorlandığı bölgeler belirlenmiştir. Daha sonra benzetim ile elde edilen ısıl dağılım sonuçları ile deneysel termal kamera görüntüleri karşılaştırılmıştır.
AU  - Goksu, Omer Faruk
AU  - Dusmez, Serkan
AU  - Gulbahce, Mehmet Onur
DO  - 10.21923/jesd.1025241
PY  - 2022
JO  - Mühendislik Bilimleri ve Tasarım Dergisi
VL  - 10
IS  - 2
SN  - 1308-6693
SP  - 550
EP  - 560
DB  - TRDizin
UR  - http://search/yayin/detay/1128935
ER  -