TY  - JOUR
TI  - 545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi
AB  - Bu çalışmada RF enerji hasatlama teknolojilerinde kullanılan doğrultucu topolojilerinden Dickson gerilimçoklayıcı devreleri tasarlanmıştır. Bu tasarımların farklı frekans ve yük değerlerinde verim analizi incelenmiştir.Tek katmanlı ve çift katmanlı doğrultucu devresinin tasarımı ve simülasyonları için Advanced Design System(ADS) kullanılmıştır. Tasarım mikroşerit hatlar kullanılarak yapılmıştır. Doğrultucu katmanında HSMS-285CSchottky diyodu kullanılmıştır. Tek ve iki katmanlı Dickson gerilim çoklayıcı ile giriş gücü -10 dBm ile 20 dBmarasında ayarlanarak beş farklı frekans (545MHz, 900MHz, 1800MHz, 2.45GHz ve 5.8GHz) değerindedoğrultucu verimi, çıkış gerilimleri ve devrenin sürüldüğü yük değerleri incelenmiştir. Tek katmanlıdoğrultucuda, 545MHz’de %36, iki katmanlı devrede ise %32 verim gözlenmiştir.
AU  - KASAR, Ömer
AU  - GÖZEL, Mahmut Ahmet
AU  - kahriman, mesud
DO  - 10.31202/ecjse.446070
PY  - 2019
JO  - El-Cezerî Journal of Science and Engineering
VL  - 6
IS  - 1
SN  - 2148-3736
SP  - 24
EP  - 30
DB  - TRDizin
UR  - http://search/yayin/detay/386027
ER  -