TY  - JOUR
TI  - Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu
AB  - Bu çalışmada, p-tipi Silisyum (p-Si) üzerine katkısız Çinko Oksit (ZnO) ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit (AZO) kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleri incelenmiştir. ZnO ve AZO nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş ve ZnO/p-Si, AZO/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ile oluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 oC’de 30 dk termal tavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj (I-V) ve Kapasitans-Voltaj (C-V) ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahip diyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların kontak potansiyeli (built-in potential, Vbi) ve taşıyıcı konsantrasyonları (Nd) hesaplandı. Derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzak seviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığı tespit edilmiştir.
AU  - AKÇAY, Namık
DO  - 10.29233/sdufeffd.462245
PY  - 2018
JO  - Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Dergisi
VL  - 13
IS  - 2
SN  - 1306-7575
SP  - 121
EP  - 131
DB  - TRDizin
UR  - http://search/yayin/detay/405086
ER  -