TY  - JOUR
TI  - Grafen oksitin modifiye Hummers yöntemi ile sentezi ve film olarak Al/GO/nInP diyot performansına etkileri
AB  - Grafen oksit (GO) modifiye Hummers yöntemi ile sentezlendi. Metal-yarıiletken arayüzeyine spray pyrolysis yöntemiylebüyütülen grafen oksit filmin Al/GO/n-InP Schottky diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. GO filmlerin yapısalözellikleri X-Işını kırınımı ölçümleri (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile belirlendi. GO filminabsorbans ve transmittans spektrumları alınarak optik özellikleri araştırıldı. Al/GO/n-InP diyotunun oda sıcaklığındaki IV karakteristiklerinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca, karanlık ve 100 mW/cm2ışık şiddetialtında yapılan I-V ölçümleri doğrultusunda diyotun oldukça iyi fotovoltaik özelliklere sahip olduğu belirlendi. Al/GO/nInP Schottky diyotunun idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb0), seri direnç (Rs) ve şönt direnci Rsh gibi karakteristikparametreleri hesaplanarak arayüzey tabakasız referans Al/n-InP diyotu ile karşılaştırıldı. Al/GO/n-InP Schottky diyotyapısının çeşitli elektronik ve optoelektronik devre uygulamaları için uygun bir malzeme olduğu görüldü.
AU  - CİMİLLİ ÇATIR, Fulya Esra
DO  - 10.17714/gumusfenbil.770061
PY  - 2021
JO  - Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
VL  - 11
IS  - 1
SN  - 2146-538X
SP  - 235
EP  - 244
DB  - TRDizin
UR  - http://search/yayin/detay/414733
ER  -