Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi

KAYAHAN, Ersin

Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi

Ersin KAYAHAN (Kocaeli Üniversitesi, Gebze Meslek Yüksek Okulu Kocaeli, Türkiye)

Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik

1 0

Yıl: 2005 Cilt: 6 Sayı: 1 Sayfa Aralığı: 75 - 79 Metin Dili: Türkçe İndeks Tarihi: 29-07-2022

Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi

Öz:

Bu çalışmada, farklı anodizasyon sürelerinde üretilmiş gözenekli silisyumun (PS), havada foto-yaşlanması (PA) sonucu fotolüminesans (PL) spektrumunda ve yüzey kimyasal yapısında meydana gelen değişimler ele alınmıştır. PS'nin yüzey kimyasal yapısı ile lüminesansı arasında açık bir ilişkinin var olduğu gözlenmiştir. Foto-yaşlanma, PL spektrum tepesinde yüksek enerji kaymasına neden olurken, PL spektrum şiddetinde ise, sürekli azalma veya önce azalma sonra artma şeklinde iki farklı etkisinin olduğu tespit edilmiştir. Elde edilen sonuçlar, hidrojen atomlarının PS yüzeyinden ayrılması ve yüzey durumları ile desteklenmiş kuantum tutulma modeli ile açıklanmıştır.

Anahtar Kelime:

The effect of photo-ageing on photoluminescence and FTIR spectra of p-tpye porous silicon after anodisation

Öz:

In this study, it was investigated changes in both photoluminescence spectrum and surface chemical structures of porous silicon produced in different anodisation times due to photo-ageing in air. It was observed a clear relation between surface chemical structure and photoluminescence of porous silicon. While photo-ageing causes a blue-shift in PL spectrum peak, it causes either a continuous decrease or first a decrease and then an increase in PL spectrum intensity. The obtained results were explained with hydrogen atoms that left PS surface and quantum confinement model influenced by surface states.

Anahtar Kelime:

Belge Türü: Makale Makale Türü: Araştırma Makalesi Erişim Türü: Erişime Açık

Aouida, S., Saadoun, M., Boujmil, M.F., Ben Rabha, M. ve Bessais, B. (2004). Effect of UV irradiations on the structural and optical features of porous silicon: Application in silicon solar cells. Applied Surface Science, 238, (193-198).
Bhave, T.M., Hullavarad, S.S., Bhoraskar, S.V., vd., (1999). FTIR studies of swift silicon and oxygen ion irradiated porous silicon. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B156, 121-124.
Canham, L.T. (1990). Silicon quantum wire array fabrication by electrochenfical and chemical dissolution of wafers. Appl. Phys. Lett. 57, 1046-1048
Cantin, J.L., Schoisswohl, M., Grosman A., vd., (1996). Anodic oxidation of p- and $p^+$- type porous silicon: surface structural transformations and oxide formation. Thin Solid Films. 276, 76-79
Chang, S-S., Sakai, A. ve Hummel, R.E. (1999). Luminescence properties of ambient air aged and thermally oxidized porous silicon. Materials Science and Engineering B64, 118-122
Halimaoui, A. (1993). Optical properties of low dimensional silicon structures. Eds: D.C. Bensahel vd., Kluwer Academic Publishers, s. 11, Netherlands.
Lakshmikumar, S.T. ve Singh, P.K. (2003). Stabilization of porous silicon surface by low temperature photoassisted reaction with acetylene. Current Applied Physics 3, 185-189
Maruyama, T. ve Ohtani, S.(1994). Photoluminescence of porous silicon exposed to ambient air. Appl. Phys. Lett.65 {11), 1346.
Takasuka, E. ve Kamei, K. (1994). Microstructure of porous silicon and its correlation with photoluminescence. Appl. Phys. Lett. 65(4), 484-486.
Toyoda, T., Yamazaki, T. ve Shen, Q. (2003). Exposure time dependence of the photoacoustic and photoluminescence intensities of porous silicon with different wavelengths of excitation light. Review of Scientific Instruments, 1A (1), 869-871.
Toyoda, T. ve Torai, R. (2003). Degradation effect of porous silicon on photoacoustic and photoluminescence signal intensities with photoexcitation. Thin Solid Films. 483 (137-141).
Tsai, C., Li, K.-H., Kinosky, D. S., vd., (1992). Correlation between silicon hydride species and photoluminescence intensity of porous silicon. App. Phys. Lett. 60 (14), 1700-1702.

APA	KAYAHAN E (2005). Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. , 75 - 79.
Chicago	KAYAHAN Ersin Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. (2005): 75 - 79.
MLA	KAYAHAN Ersin Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. , 2005, ss.75 - 79.
AMA	KAYAHAN E Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. . 2005; 75 - 79.
Vancouver	KAYAHAN E Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. . 2005; 75 - 79.
IEEE	KAYAHAN E "Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi." , ss.75 - 79, 2005.
ISNAD	KAYAHAN, Ersin. "Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi". (2005), 75-79.

APA	KAYAHAN E (2005). Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik, 6(1), 75 - 79.
Chicago	KAYAHAN Ersin Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik 6, no.1 (2005): 75 - 79.
MLA	KAYAHAN Ersin Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik, vol.6, no.1, 2005, ss.75 - 79.
AMA	KAYAHAN E Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik. 2005; 6(1): 75 - 79.
Vancouver	KAYAHAN E Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi. Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik. 2005; 6(1): 75 - 79.
IEEE	KAYAHAN E "Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi." Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik, 6, ss.75 - 79, 2005.
ISNAD	KAYAHAN, Ersin. "Anodizasyon sonrası foto-yaşlanmanın p-tipi gözenekli silisyumun lüminesans ve FTIR spektrumlarına etkisi". Anadolu Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi :A-Uygulamalı Bilimler ve Mühendislik 6/1 (2005), 75-79.