Bu proje başta GaSe ve InSe olmak üzere katmanlı yarıiletkenlerin Bridgman yöntemi ile büyütülmesi ve karekterizasyonu amacını taşımaktadır. Bu yarıiletkenler Ga, in, Tl, S ve Se gibi elemental maddeler kullanılarak büyütülmektedir. Bu proje kapsamında elde edilen sonuçlar literatüre uygunluk göstermektedir. Kristal karakterizasyonıı için x-ışını kırınımı, elektron mikroskopu, optik soğurma spektrometresi, Raman saçılma spektrometresi ve fotolüminesans gibi teknikler kullanılmıştır. GaSe ve InSe'ın genellikle e-politipinde kristalleştiği gözlenmiştir (uzay grubu $D3_{3h}^1$ olup temel birim hücresi iki katmana sahiptir). Bu kristallerde yapılan yapısal incelemeler sonucunda ferroelektrik faz geçişlerinin temel birim hücre büyüklüğü ile bağıntılı olduğu gözlenmiştir. 60 K sıcaklığında TlInS2'deki yapısal değişmenin, 2.31 eV'de yeni geniş bir bant oluşturduğu gözlenmiştir. $TIIn_xGa_{1-x}S_2$ (x=0.95; 0.8) karışımında InS4 komplekslerinin yerini GaS4 in alması, (x=l için) 220 K'deki faz geçişini x=0.95 için 170 K'ye indirmiştir. 110-320 ve 10-320°C bölgelerinde yapılan Hail ölçümleri ve iletkenlik ölçümleri sonucunda, InSe ince filmlerinde 200 K. civarında transport mekanizmasının temel olarak termionik ışıma olduğu ortaya çıkmıştır. 75 K altındaki akım transportunun ise yerel sevyelerdeki elektron sıçramaları yolu ile olduğu gözlenmiştir. Ara sıcaklıklarda ise hem termionik ışıma hem de ısı-bağımlı tünelleme iletkenliğine katkıda bulunan temel transport mekanizmaları olarak belirlenmiştir.